Реактивный импеданс кремниевых p+-n-диодов, обусловленный радиационными дефектами кристаллической структуры : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Сергей Васильевич Шпаковский ; Белорусский государственный университет

Автор(ы): Шпаковский, Сергей ВасильевичОтветственные организации: Белорусский государственный университет, МинскЯзык документа: Русский.Страна публикации: BY.Издательство: Минск, 2012Физическая характеристика: 23 с.ББК: 01.04.10 ; 47.33.29 ; 47.09.29 ; 29.19.31 ; 29.19.11 ; 29.19.19 ; 29.19.21Note(s): Резюме на белорусском, русском и английском языках; Список публикаций соискателя: с. 17—20 (27 названий).Наименование темы, используемое как предмет: АВТОРЕФЕРАТЫ | ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ | КРЕМНИЕВЫЕ ДИОДЫ | ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД | ЭЛЕКТРОННОЕ ОБЛУЧЕНИЕ | ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ | КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ | РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ | ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ | РЕАКТИВНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ Предметная категория: Белорусский национальный документ
Метки из этой библиотеки: Меток нет.
Зарегистрируйтесь, чтобы добавлять метки.
    средняя оценка: 0.0 (0 голосов)
Тип единицы Местонахождение Состояние
Авторефераты диссертаций Авторефераты диссертаций
Могилевская областная библиотека. Отдел хранения основного фонда
Выдается

Резюме на белорусском, русском и английском языках

Список публикаций соискателя: с. 17—20 (27 названий)

Нет никаких комментариев для этого документа.

Войти в учётную запись для возможности публиковать комментарии.
Языки: