Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления в интегральном исполнении на кремнии : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : 05.16.08 ; 05.27.01 / Александр Иванович Костров ; Учреждение образования "Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники"

Автор(ы): Костров, Александр Иванович, магистр технических наукОтветственные организации: Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, МинскЯзык документа: Русский ; of summary,Белорусский ; of summary,Русский ; of summary,Английский.Страна публикации: BY.Издательство: Минск, 2011Физическая характеристика: 21 с. : ил.ББК: 05.16.08 ; 05.27.01 ; 50.11.29 ; 50.11.15 ; 47.33.31 ; 47.13.07Note(s): Резюме на белорусском, русском и английском языках; Список публикаций соискателя: с. 16—18 (23 назв.).Наименование темы, используемое как предмет: АВТОРЕФЕРАТЫ | ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ ПАМЯТЬ | ОПЕРАТИВНАЯ ПАМЯТЬ | ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА | МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ | ТУННЕЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ | ФЕРРОМАГНИТНЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ | ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ | КРЕМНИЕВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ | НАНОЭЛЕКТРОНИКА Предметная категория: Белорусский национальный документ
Метки из этой библиотеки: Меток нет.
Зарегистрируйтесь, чтобы добавлять метки.
    средняя оценка: 0.0 (0 голосов)
Тип единицы Местонахождение Состояние
Авторефераты диссертаций Авторефераты диссертаций
Могилевская областная библиотека. Отдел хранения основного фонда
Выдается

Резюме на белорусском, русском и английском языках

Список публикаций соискателя: с. 16—18 (23 назв.)

Нет никаких комментариев для этого документа.

Войти в учётную запись для возможности публиковать комментарии.
Языки: