000 03018cam0 2200505 ia4500
001 BY-MA0000-br84905578
005 20211221141743.0
100 ^a20120515d2011 k y0rusy50 ca
101 0 ^arus
^dbel
^drus
^deng
102 ^aBY
105 ^aa m 000yy
109 ^aac
^aaa
200 1 ^aЭлементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления в интегральном исполнении на кремнии
^eавтореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
^e05.16.08 ; 05.27.01
^fАлександр Иванович Костров
^gУчреждение образования "Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники"
210 ^aМинск
^d2011
215 ^a21 с.
^cил.
300 ^aРезюме на белорусском, русском и английском языках
320 ^aСписок публикаций соискателя: с. 16—18 (23 назв.)
606 ^aАВТОРЕФЕРАТЫ
^3BY-NLB-ar2406406
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar39524
^aЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ ПАМЯТЬ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar21709
^aОПЕРАТИВНАЯ ПАМЯТЬ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar10767
^aЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar63021
^aМАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar82122
^aТУННЕЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar4555639
^aФЕРРОМАГНИТНЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar7368
^aГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar2246902
^aКРЕМНИЕВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ
^2DVNLB
606 0 ^3BY-NLB-ar45117
^aНАНОЭЛЕКТРОНИКА
^2DVNLB
610 0 ^aмагниторезистивная оперативная память
610 0 ^aмагнітарэзыстыўная аператыўная памяць
610 0 ^aФДП-структуры
615 ^3BY-SEK-ar1826174
^aБелорусский национальный документ
686 ^a05.16.08
^2nsnrrb
686 ^a05.27.01
^2nsnrrb
686 ^a50.11.29
^2rugasnti
^96
686 ^a50.11.15
^2rugasnti
^96
686 ^a47.33.31
^2rugasnti
^96
686 ^a47.13.07
^2rugasnti
^96
690 ^9BY-MA0000
^a1
^2Base
^xRSEK
700 1 ^3BY-SEK-ar4533303
^aКостров
^bА. И.
^gАлександр Иванович
^cмагистр технических наук
711 0 2 ^aБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
^cМинск
^3BY-NLB-ar186905
801 0 ^aBY
^bBY-MA0000
^c20180316
^gpsbo
899 ^aBY-MA0000
^iК 72