1. Василевский, Ю. . Двумерная физико-топологическая модель для численного анализа и оптимизации параметров фотодиодов на основе фосфида индия и кремния : автореф. дисс. на соиск. учен. степ. канд. физико-математических наук / Малышев С.А. науч.рук ; Ю. Г. Василевский ; Ин-т физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси УДК 05.27.01. — ББК 2Издательство: Минск, 2008Физическая характеристика: 20 с.

Действия: Заказать Зарегистрируйтесь, чтобы добавлять метки. Добавить в корзину
2.  Дефекты структуры в ионно-имплантированном кремнии / Ф. Ф. Комаров, А. П. Новиков, В. С. Соловьев, С. Ю. Ширяев. — ББК 24.124.2Издательство: Минск : Университетское, 1990Физическая характеристика: 318 с.

Действия: Заказать Добавить в корзину
3. Дьяков, В. М. Кремний в жизни и науке : химия элементоорганических соединений / В. М. Дьяков. — ББК 24.124.2Издательство: Москва : Знание, 1989Физическая характеристика: 32 с.

Действия: Заказать Добавить в корзину
4. Абрамов, И. И. Моделирование физических процессов в элементах кремниевых интегральных микросхем / И. И. Абрамов ; Бел. гос. ун-т информатики и радиоэлектроники. — ББК 32.844.15Издательство: Минск : БГУ, 1999Физическая характеристика: 189 с.

Действия: Заказать Добавить в корзину
5. Кузнецов, Н. В. Радиационная стойкость кремния / Н.В. Кузнецов, Г.Г. Соловьев. — ББК 22.379.2Издательство: Москва : Энергоатомиздат, 1989Физическая характеристика: 96 с.

Действия: Заказать Добавить в корзину
6.  Технология полупроводникового кремния / под ред. Э. С. Фалькевича. — ББК 35.253Издательство: Москва : Металлургия, 1992Физическая характеристика: 406 с.

Действия: Заказать Добавить в корзину
7. Емельянов, В. . Эпитаксиальные слои кремния и германия для интегральных микросхем / В. А. Емельянов, А. С. Турцевич, О. Ю. Наливайко. — ББК 32.844.15Издательство: Минск : Интегралполиграф, 2008Физическая характеристика: 288 с.

Действия: Заказать Добавить в корзину
Языки: